Resumen: La tendencia actual en la tecnología es fabricar los aparatos o dispositivos cada vez más pequeños para reducir costos, así un grupo de investigadores encontró una forma de hacerlo con memorias incrustadas obteniendo grandes logros.
Las memorias embebidas o incrustadas tienen un papel fundamental para el funcionamiento de los dispositivos electrónicos que utilizamos, ya que son diseñadas para cubrir necesidades específicas y se enfrentan normalmente a tareas de procesamiento en tiempo real.
Estas memorias incrustadas ocupan gran parte de esos sistemas. Por lo que investigadores buscan reducir cada vez más su tamaño, con un costo más baratos y que sean más potentes. Ante esta premisa, el equipo de investigadores de la EPFL y la Universidad de Bar Ilan (BIU) en Israel diseñaron una memoria que reduce a la mitad la cantidad de silicio utilizada en ella, sin perjudicar su almacenamiento, también la energía necesaria. Este proyecto es tan innovador que consiguió siete patentes por su trabajo y están en proceso de crear una startup, RAAAM.
El grupo de investigadores organizó de manera diferente los transistores dentro de las memorias incrustadas, utilizando accesos directos para reducir espacio y energía, porque se sabe que dentro de los chips hay una enorme cantidad de transistores. La memoria que desarrollaron, llamada GC-eDRAM, necesita solo dos o tres transistores, un valor mucho menor que el que posee SRAM con sus seis u ocho transistores. Esta nueva organización permite colocar dentro de los chips más memorias o hacerlas más pequeñas para dar espacio para otros componentes, reduciendo así la energía necesaria para procesar una determinada cantidad de datos
Para Andreas Burg, profesor del Laboratorio de Circuitos de Telecomunicaciones y parte de los fundadores de RAAAM, durante los últimos años la tecnología en componentes del chip solo avanzó en su reducción de su tamaño, pero está estancada en otros aspectos.
Robert Giterman, investigador con posdoctorado de EPFL y CEO de RAAAM indica que existen otros tipos de eDRAM en el mercado, pero requieren otros pasos en el proceso de fabricación que resultan ser complejos y costosos, los cuales son incompatibles con los pasos de fabricación estándar de los chips. No obstante, el GC-eDRAM puede ser compatible al proceso debido a sus características.
Los investigadores trabajaron con fabricantes de semiconductores de primer nivel para probar su nuevo tipo de memoria, resultando en la compatibilidad del proceso de fabricación, lo cual permitirá una reducción enorme en el costo, por lo que RAAAM planea vender su tecnología a través de acuerdos de licencia, siendo uno de los tres ganadores de los premios Venture de este año en el área Industrial e Ingeniería.
Referencia:
Cécilia Carron. New high-capacity embedded memories use half as much silicon, EPFL News, 31 de julho, 2020.
Redaccion: Dennis Gonzales - UNILA
