Resumen: Los investigadores inventaron una manera de deslizar capas atómicamente finas de materiales 2D una sobre otra para almacenar datos, en menos espacio y usando menos energía.
Un grupo de
investigación de Stanford creó una manera de almacenar datos deslizando camadas
atómicas finas de metal una sobre otra. Con eso, es posible guardar más datos
en menos espacio que en los chips de Silicio, además de usar menos energía. La investigación
liderada por Aaron Lindenberg, profesor de ciencia e ingeniería de materiales
de Stanford, sería una innovación en almacenamiento de memoria no volátil que
los computadores de hoy realizan con tecnologías basadas en silicio.
La innovación
está basada en una clase de metales recién descubierta que forma capas
increíblemente finas, en este caso con apenas tres átomos de grosor. Los
investigadores apilaron esas capas hechas de un metal conocido como ditellurida
de tungsteno. “La organización de las capas se vuelve un método para codificar
informaciones”, dice Lindenberg creando algo que almacene daros binarios.
Para leer los
datos almacenados entre esas capas variables de atomos, los investigadores
exploraron una propiedad cuántica conocida como curvatura de Berry, que actúa
como un campo magnético para manipular los electrones en el material y leer el
arreglo de las capas sin perturbar la pila.
Jun Xiao,
investigador de posdoctorado en el laboratorio de Lindenberg y primer autor del
artículo, dice que es necesario poca energía para cambiar las capas de un lado
para otro. Eso significa que debe usar menos energía para “grabar” un cero o
uno en el nuevo dispositivo del que es necesario para las tecnologías de
memoria no volátil de hoy. Además de eso, con base en investigaciones del mismo
grupo publicado en la revista Nature,
el deslizamiento de las capas atómicas puede ocurrir tan rápido que con las
tecnologías actuales.
El design del
dispositivo prototipo se basó en parte en cálculos teóricos. Despues que fue
observado resultados experimentales consistentes con las previsiones teóricas,
fueron hechos cálculos adicionales que los llevaron a creer que refinamientos
adicionales en su design mejorarían mucho la capacidad de almacenamiento,
abriendo camino para una nueva y distante clase más poderosa de memoria no
volátil usando materiales 2D ultra finos.
Andrew Myers. Engineers invent a way to store data without using silicon chips. Stanford Engineering – Materials Science and Engineering, 30 de junho de 2020.
